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J-GLOBAL ID：200903042159578909

半導体装置の製造方法

Inventor：
小山 正人

About 小山 正人


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001299133
Publication number (International publication number)：2003110100
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、SiO2換算15オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンLSIデバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、シリコン基板上に、シリコンと酸素を必須成分とする絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に酸素が化学量論組成よりも不足した組成を持つ金属酸化物を形成する工程と、前記金属酸化物上に導電性膜を形成する工程と、この積層構造を熱処理する工程とを備える半導体装置の製造方法である。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に、シリコンと酸素を少なくとも含む絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に酸素が化学量論組成よりも不足した組成を持つ金属酸化物を形成する工程と、前記金属酸化物上に導電性膜を形成する工程と、この積層構造を熱処理する工程とを備える半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316
FI (3)：
H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (42)：
5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BE03 ,  5F058BF12 ,  5F058BF62 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG27 ,  5F140BG34 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK34 ,  5F140CB01 ,  5F140CF04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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