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J-GLOBAL ID：200903042176069783

有機系反射防止膜のプラズマエッチング方法

Inventor： 長山 哲治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997120762
Publication number (International publication number)：1998312991
Application date： May. 12, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 段差を有する下地材料層上に形成された有機系反射防止膜を、高精度にパターニングするプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 分子内にカルボニル基とハロゲン原子を有する化合物、例えばCOClを含むエッチングガスにより有機系反射防止膜6をプラズマエッチングする。【効果】 レジストパターン7およびパターニングされつつある有機系反射防止膜6の側面に、エッチング耐性に優れた炭素系ポリマを主体とする強固な側壁保護膜8が形成されるので、アンダーカットや寸法変換差が防止される。

Claim (excerpt)：

下地材料層上に形成された有機系反射防止膜を、分子内にカルボニル基とハロゲン原子を有する化合物を含むエッチングガスを用いるとともに、被エッチング基板上に炭素系ポリマを堆積しつつエッチングすることを特徴とする有機系反射防止膜のプラズマエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G02B 1/11 ,  H01L 21/027

FI (4)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 574