Pat

J-GLOBAL ID：200903042184528002

半導体基板上に半導体デバイスを形成する方法及びトランジスタ

Inventor： グレン ディー ウィルク ,  マーシャル ホーウェル
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999249561
Publication number (International publication number)：2000101083
Application date： Sep. 03, 1999
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体基板上にある半導体デバイスを形成する方法である。【解決手段】この方法は、SiOx(ただし、xは0より大きく、2より小さい)で構成された亜酸化物物質の層を基板上に形成するステップ(104)、及び亜酸化物物質の層上に構造を形成するステップ(106)を含む。他の実施形態において、亜酸化物物質は、シリコン源を用いる電子ビーム蒸発器源に半導体基板をさらすことによって形成され、半導体ウエハは、このステップの間分圧を有する酸素含有雰囲気に置かれる。酸素の分圧は10-7〜10-4トルの間である。半導体基板は、好ましくは、約650〜750°C、更に好ましくは、約670〜720°Cの温度に保たれるのが好ましい。更に、亜酸化物物質は、酸素含有雰囲気において化学気相堆積(CVD)によって形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に半導体デバイスを形成する方法であって、SiOx(ただし、xは0より大きく、2より小さい)で構成された亜酸化物物質の層を前記基板上に形成するステップと、前記亜酸化物物質の層上に構造物を形成するステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/316 X