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J-GLOBAL ID：200903042185377563

低ストレスの多層フィルムを備えたマスクおよび多層フィルムのストレスを制御するためのプロセス

Inventor： ロイド リチャード ハリオット ,  ジェームス アレキサンダー リドル ,  シンジス アン ヴォルカート ,  ウォーレン カツミール ワスキーウィクツ ,  ディヴィッド リー ウイント
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995262606
Publication number (International publication number)：1996190190
Application date： Oct. 11, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【課題】 基体上に形成された多層フィルムのストレスの制御プロセスを提供する。【解決手段】 基体上に形成された多層フィルムのストレスを制御するためのプロセスが開示されている。複数の周期が基体内に形成されており、各周期は少なくとも2つの材料層を有し、1つの材料層は圧縮ストレス下にあり、他の材料層は引張りストレス下にある。多層フィルムのストレスは圧縮ストレス下にある層の厚さと引張りストレス下にある層の厚さを選択することにより制御され、これにより多層フィルムに所望のストレスを付与することができる。各層の厚さは約0.5nmから約10nmである。本発明はまた、このような多層フィルムを備えたマスクに関するものである。

Claim (excerpt)：

複数の周期を形成することにより基体上に多層フィルムを形成することを含み、各周期は少なくとも2つの層からなり、周期内の少なくとも1つの層は圧縮ストレス下にあり、また周期内の少なくとも1つの層は引張りストレス下にあり、各層は約0.5nmから約10nmの厚さを有し、圧縮ストレス下にある層の厚さと引張りストレス下にある層の厚さは、得られた多層フィルムのストレスが-約50MPaから約50MPaであり、また周期内の少なくとも1つの層が金属層である、マスクを製作するためのプロセス。

IPC (2)：

G03F 1/16 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭64-037014
  
• 光学素子および光学素子の照明方法並びに投影露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-326474   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭57-198461
  
• 半導体素子の配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-171928   Applicant：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• 特開昭63-136521
  
• 特開昭64-037014
  
• 特開昭57-198461
  
• 特開昭63-136521