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J-GLOBAL ID：200903042195035148

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 平野 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995131940
Publication number (International publication number)：1996329688
Application date： May. 30, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 データの二度書きによる不揮発性メモリICの不安定状態、あるいは素子破壊の発生を防止することができる。【構成】 外部からの不揮発性メモリ部へのデータの書き込みを、データが既に書き込まれているかどうかにより制御するためのしきい値を、不揮発性メモリ部における値よりも低い値を有する電位状態保持レジスタを具備する。

Claim (excerpt)：

不揮発性メモリ部内にデータが書き込まれている状態での外部からのデータの書き込みが禁止される不揮発性半導体記憶装置であって、前記不揮発性メモリ部においてデータの書き込み状態を判断するしきい値となる第1のしきい値よりも低い値を第2のしきい値として有し、前記不揮発性メモリ部内の電荷の電位レベルが前記第2のしきい値を超えた場合に前記不揮発性メモリ部内にデータが書き込まれている状態であると判断する電位状態保持レジスタを具備することを特徴とする不揮発性半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-301846
  
• 特開平2-302997
  
• 特開平4-182996