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J-GLOBAL ID:200903042207211206

熱電半導体材料、その製造方法およびこれを用いた熱電モジュールおよび熱間鍛造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木村 高久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001190514
Publication number (International publication number):2002111086
Application date: Sep. 16, 1997
Publication date: Apr. 12, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】十分な強度と性能指数Zを具備し、製造歩留りの高い熱電半導体材料を提供する。【解決手段】所望の組成をもつように材料粉末を混合し、加熱溶融し、菱面体構造(六方晶構造)を有する熱電半導体の固溶インゴットを形成し、前記インゴットを粉砕して固溶体粉末を形成し、粒径が均一になるように整粒し、次いで、固溶体粉末を加圧焼結した後、粉末焼結体を熱間で鍛造し、塑性変形させることによって、粉末焼結組織の結晶粒を性能指数の優れた結晶方位に配向させる。
Claim (excerpt):
所望の組成をもつように材料粉末を混合し、加熱溶融せしめる加熱工程と、菱面体構造(六方晶構造)を有する熱電半導体材料の固溶インゴットを形成する凝固工程と、前記固溶体インゴットを粉砕し固溶体粉末を形成する粉砕工程と、前記固溶体粉末の粒径を均一化する整粒工程と、粒径の均一となった前記固溶体粉末を加圧焼結せしめる焼結工程と、この粉末焼結体を熱間で塑性変形させ、展延することで、粉末焼結組織の結晶粒を性能指数の優れた結晶方位に配向せしめる熱間すえこみ鍛造工程とを含むことを特徴とする熱電半導体材料の製造方法。
IPC (8):
H01L 35/34 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/17 ,  C01B 19/04 ,  C22C 12/00 ,  C22F 1/00 683 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18
FI (8):
H01L 35/34 ,  B22F 1/00 C ,  B22F 3/17 C ,  C01B 19/04 A ,  C22C 12/00 ,  C22F 1/00 683 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18
F-Term (6):
4K018AA40 ,  4K018AD20 ,  4K018BA19 ,  4K018BC01 ,  4K018EA44 ,  4K018KA32
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • 特開平3-016281
  • 特開昭63-138789
  • 特開平3-041780
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