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J-GLOBAL ID：200903042225778191

半導体装置およびその製法

Inventor： 弘本 敏明
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217075
Publication number (International publication number)：1997064352
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 横型MOSFETのオン抵抗が高いという欠点を改善し、かつ、縦型MOSFETの裏面電極の欠点を改善し、オン抵抗が小さく、小さなチップ面積で、かつ、他の半導体素子とともに1チップIC化を可能とするパワーMOSFETを有する半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】 半導体基板(サブ基板1と半導体層4)内に設けられた高濃度不純物のn+型の第1の埋込層2と、該第1の埋込層上のp型半導体領域5に形成された少なくとも2つのn+型不純物領域(ドレイン領域6およびソース領域7)を有するシングルドレイン構造のMOSFETとを具備し、前記ドレイン領域はn+型の高濃度不純物領域6aにより第1の埋込層と接続され、第1の埋込層の他の部分で接続され前記半導体基板の表面に露出するn+型のドレイン電極形成領域8の表面にドレイン電極Dが設けられている。

Claim (excerpt)：

半導体基板内に設けられた高濃度不純物の第1導電型の第1の埋込層と、該第1の埋込層上の第2導電型半導体領域に形成された少なくとも2つの第1導電型不純物領域を有するシングルドレイン構造のMOSFETとを具備し、前記第1導電型不純物領域の少なくとも1つは第1導電型の高濃度不純物領域により前記第1の埋込層と接続され、該第1の埋込層の他の部分で接続され前記半導体基板の表面に露出する第1導電型の高濃度不純物領域の表面にドレイン電極が設けられてなる半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発熱体駆動用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-130289   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭62-165363
  
• 特開昭59-217368