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J-GLOBAL ID：200903042228230324

化学的機械的平坦化

Inventor： トラング・トリ・ドーン ,  クリス・チャン・ユウ
Applicant, Patent owner： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993105903
Publication number (International publication number)：1995312366
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、金属表面(22)を平坦化し、同一平面上に金属(22)および誘電体(10)の層を形成するための方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明においては、酸化膜のような材料のパターニング層が形成され、金属のような導電性材料のブランケット層が蒸着され、次いでBPSGまたはTEOSのような材料の保護層(60)が金属表面(22)の上に形成される。また、本発明の方法により、研磨パッドを用いた不均一な研磨の結果として生じるくぼみが減少される。

Claim (excerpt)：

基板(12)の表面に導体を受容するトラフを形成する一対の高い領域からなる誘電体層(10)を形成し、;誘電体(10)上に導体(22)のブランケット層を形成し、それにより前記導体(22)で誘電体(10)を覆い、前記高い領域で前記導体が前記誘電体を接触させる高い領域および前記導体が前記トラフを接触させる低い領域を有するでこぼこな表面を形成し、;前記導体層(22)の除去速度より遅い速度で除去されうる材料から形成される保護層(60)を前記導体層(22)の上に整合して形成し;前記高い誘電体領域にオーバーレイする前記保護層部分を除去し、他方、前記導体を実質的にそのまま残し;そして前記高い誘電体領域(10)にオーバーレイする前記導体(22)を除去し、保護層(60)を残し、それによって前記トラフ中に導体が残る;段階を含む基板(12)の表面上に導電性を形成する工程。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-114242
  
• 特開昭52-030159