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J-GLOBAL ID：200903042232157330

赤外線表面分析方法

Inventor： 吉川 治
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992163465
Publication number (International publication number)：1993332920
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Siウェハのような硬く、また、屈折率の大きい物質の表面を赤外線分析する。【構成】 試料(Siウェハ)10の分析面11を空気側とし、分析面11の反対側の面に試料10よりも低い屈折率を有する柔らかい固体材料(ZnSe、KRS-5等)プリズムを密着させ、固体材料側から赤外線13を入射して分析面11で反射させる。【効果】 試料に直接赤外線を入射する際の反射損失を防止しつつ、外部からの赤外線の入射角φを大きくとることができる。

Claim (excerpt)：

赤外線に対してほぼ透明な板状の試料の表面に赤外線を照射し、その反射波を分光光度計で測定することにより試料表面の分析を行なう赤外線表面分析方法において、試料の分析面を空気側とし、分析面の反対側の面に試料よりも低い屈折率を有する固体材料を密着させ、該固体材料から赤外線を入射して試料の分析面で反射させるようにしたことを特徴とする赤外線表面分析方法。

IPC (2)：

G01N 21/27 ,  G01N 21/35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-116645
  
• 特開昭62-220834