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J-GLOBAL ID：200903042232613033

半導体ダイオード

Inventor： 菅原 文彦 ,  春原 由雄 ,  長谷川 泰男 ,  山口 日出男
Applicant, Patent owner： オリジン電気株式会社 ,  菅原 文彦 ,  春原 由雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992336631
Publication number (International publication number)：1994163949
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】逆漏れ電流が小さく,かつ順方向電圧降下の小さな半導体装置を得ること。【構成】本発明による半導体装置は、主な電流通過領域となる高不純物濃度の半導体領域1と、低不純物濃度の半導体領域2と、熱平衡状態で空乏化して多数キャリアのバリヤが存在する半導体領域3と、高不純物濃度の半導体領域4からなる4層構造を有するバルクバリヤダイオード領域と、低オン電圧化と高耐圧化のために設けた半導体領域5とを組み合わせた構造からなる。

Claim (excerpt)：

一方の主面側に第1の電極が形成された第1の伝導形の半導体領域1と,半導体領域1の他方の主面側との間に接合J1を形成する第1の伝導形の半導体領域2と、一方の主面側が半導体領域2と接合J2を形成する、第1の伝導形とは逆の第2の伝導形の半導体領域3と、第2の電極が一方の主面側に形成され、半導体領域3の他方の主面側との間に接合J3を形成する他方の主面側を有する第1の伝導形の半導体領域4と、前記第2の電極が形成されてこの電極により半導体領域4と電気的に短絡され、かつ接合J2よりも深い位置に半導体領域2と接合J4を形成する第2の伝導形の半導体領域5とを備え、半導体領域1は高不純物濃度であり、半導体領域2は半導体領域3に比べて低不純物濃度であり、半導体領域3は熱平衡状態にあって、接合J2と接合J3の空間電荷層形成により空乏化するような厚みに設定され、半導体領域4は高不純物濃度であり、半導体領域5は高不純物濃度であることを特徴とする半導体ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-335459   Applicant：オリジン電気株式会社, 菅原文彦, 春原由雄