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J-GLOBAL ID：200903042242187075

面発光型半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 篠田 和典 ,  上野 巧 ,  佐川 みすず ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995012279
Publication number (International publication number)：1996204278
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、レーザ光出射孔における誘電体多層膜反射鏡の反射率の低下と光の漏れを防ぎ、低閾値電流で且つ高効率の面発光型半導体レーザを提供することにある。【構成】 レーザ光出射孔(12)と電極(8)上面の一部を同時に覆う誘電体多層膜反射鏡(10)を有する面発光型半導体レーザにおいて、電極(8)に形成された光出射孔(12)の形状を、半導体表面に接する面の面積よりも半導体表面に接しない面の面積の方が広い逆台形にする。【効果】 本発明によれば反射率の高い誘電体多層膜反射鏡を提供できるので、面発光型半導体レーザの閾値電流低減と高効率化に効果がある。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、光を発生する活性層の上下を反射鏡で挟んだ積層構造、及び活性層に対して基板と反対側の半導体表面に光出射孔を有する電極を有し、上記反射鏡のうち活性層に対して基板と反対側の反射鏡が上記光出射孔及び上部電極の一部を同時に覆う構造となっており、上記半導体基板に垂直に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、上記電極に形成された光出射孔の形状が、半導体表面に接する面の面積よりも半導体表面に接しない面の面積の方が広い逆台形であることを特徴とする面発光型半導体レーザ。