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J-GLOBAL ID：200903042250502710

半導体多層膜の形成方法および半導体レーザの製造方法

Inventor： 萬濃 正也 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992156522
Publication number (International publication number)：1993175607
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 第1に、所望のキャリア濃度分布を有し、再現性よく形成できるn型半導体層を含む半導体多層膜の形成方法を提供し、第2に、AlGaInP層中のドーパントの拡散を抑制し、AlGaInP系半導体レーザの素子特性と歩留まりを高めることができる半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 n-AlInP電流狭窄層11成長中にn型ドーパントガスのH2 Seと同時にp型ドーパントガスのジメチル亜鉛(DMZ)を添加する。【効果】 p-AlGaInP第1クラッド層4中のP型ドーパント濃度を低下させず、しかもPN接合位置ズレやGaInP活性層3の結晶構造の無秩序化を誘発しない。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にn型ドーパントを添加して得るn型半導体層を含む半導体多層膜の形成方法であって、前記n型半導体層を形成する際に、n型ドーパントとともにp型ドーパントを添加することを特徴とする半導体多層膜の形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-003176
  
• 特開平3-062584
  
• 特開平4-249391