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J-GLOBAL ID：200903042251360138

金属不純物除去方法およびその装置

Inventor： 山本 賢一 ,  下野 次男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993230699
Publication number (International publication number)：1995081902
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程で用いられるフッ酸含有薬液に含まれる金属不純物を、長期間、安定して、今後要求される濃度レベル(0.01ppb)まで低減できる方法を提供する。【構成】 金属不純物を含むフッ酸含有薬液8中の溶存酸素を窒素ボンベ10による窒素バブリング等の溶存酸素除去方法で除去した後、フッ酸含有薬液8をシリコン粒子表面に金属を析出させた金属析出シリコン粒子11を充填したカラム12に通流させ、フッ酸含有薬液に含まれる金属不純物を金属析出シリコン粒子に吸着させて除去する。

Claim (excerpt)：

フッ酸含有薬液中の溶存酸素を除去した後、フッ酸含有薬液をシリコン粒子の接触させ、フッ酸含有薬液中の金属不純物を前記シリコン粒子に吸着させて除去することを特徴とする金属不純物除去方法。

IPC (4)：

C01B 7/19 ,  B01D 15/00 ,  B01J 20/02 ,  H01L 21/304 341