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J-GLOBAL ID：200903042259612632

スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材

Inventor： 町野 毅 ,  大内 幸弘 ,  高橋 昭雄 ,  杉原 忠 ,  武下 拓夫
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991259903
Publication number (International publication number)：1993070942
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用焼結ターゲット材の高密度化をはかる。【構成】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用ターゲット材が、重量%で、SnO2 :5〜15%、ZrO2 およびY2 O3 のうちの1種または2種:0.01〜5%、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成、並びに、90%以上の理論密度比、を有する高密度焼結体からなる。

Claim (excerpt)：

重量%で、酸化スズ:5〜15%、酸化ジルコニウムおよび酸化イットリウムのうちの1種または2種:0.01〜5%、を含有し、残りが酸化インジウムと不可避不純物からなる組成、並びに、90%以上の理論密度比、を有することを特徴とするスパッタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲット材。

IPC (6)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  C01G 25/00 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503