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J-GLOBAL ID：200903042264300770

半導体レーザ

Inventor： 青木 修
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993051129
Publication number (International publication number)：1994268315
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は,III 族-V族化合物半導体気相成長により作成する半導体レーザの構造に係り、特に歪活性層を有する半導体レーザの構造の改良に関し、不純物のドーピング方法を改善し、歪超格子を活性層に持つレーザ構造の活性層ドーピングを可能にし、デバイスにしたときに低しきい値化して高品質のデバイスを提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に、少なくとも二周期以上の歪みウェル層2とバリア層3とで構成される歪超格子からなる活性層4を有する半導体レーザダイオードであって、活性層4の下層から中間までの領域にn型不純物5がドーピングされてなるように、また、バリア層3のみにn型不純物のドーピングがなされたように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1) 上に、少なくとも二周期以上の歪みウェル層(2) とバリア層(3) とで構成される歪超格子からなる活性層(4) を有する半導体レーザダイオードであって、該活性層(4) の下層から中間までの領域にn型不純物がドーピングされてなることを特徴とする半導体レーザ。