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J-GLOBAL ID：200903042266284446
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992073875
Publication number (International publication number)：1993094968
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】拡散層の接合深さを浅く保ったまま、拡散用配線のコンタクト抵抗を低くする。【構成】シリコン基板1表面に設けられた素子分離用絶縁膜2と、この絶縁膜のエッジ部から前記基板のシリコン領域上の一部に突出形成され前記素子分離用絶縁膜2より薄い絶縁膜と、前記素子分離用絶縁膜2上およびそのエッジ部付近の薄い絶縁膜上に形成された第1の金属シリサイド膜14と、前記薄い絶縁膜に隣接するシリコン領域上に形成された第2の金属シリサイド膜14と、前記薄い絶縁膜と前記シリコン領域の境界付近に設けられ前記第1、第2の金属シリサイド膜間をつなぐ第3の金属シリサイド膜とを具備した。
Claim (excerpt)：
シリコン基板表面に設けられた素子分離用絶縁膜と、この絶縁膜のエッジ部から前記基板のシリコン領域上の一部に突出形成され前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜と、前記素子分離用絶縁膜上およびそのエッジ部付近の薄い絶縁膜上に形成された第1の金属シリサイド膜と、前記薄い絶縁膜に隣接したシリコン領域上に形成された第2の金属シリサイド膜と、前記薄い絶縁膜と前記シリコン領域の境界付近に設けられ前記第1、第2の金属シリサイド膜間をつなぐ第3の金属シリサイド膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/336
, H01L 29/784
