Pat
J-GLOBAL ID：200903042273750576
相補型薄膜電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
南條 眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993145929
Publication number (International publication number)：1995131022
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 良好な周波数特性を実現することができるCMOSTFTを得る。【構成】 絶縁基板上に積層されたソース領域半導体層、チャンネル領域半導体層及びドレイン領域半導体層を切断した端面の半導体層でMOSFETの動作領域を構成し、切断端面にゲート絶縁層を形成し、絶縁層上にゲート電極を形成することによりMOSTFTを構成する。このような構成のMOSTFTを2個積層して設け、一方をPMOSTFT、他方をNMOSTFTとすることによりCMOSTFT構成とする。また、積層された半導体層に開孔部を形成しこの開孔部の切断端面を利用してCMOSTFTを対向して形成する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に複数の半導体層が積層して形成され、該積層して形成された複数の半導体層を切断して端面が形成され、該端面上に絶縁層が形成され、該絶縁層上に導電層が形成され、前記複数の半導体層が各々MOSFETのソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域とされ、前記絶縁層がMOSFETのゲート絶縁膜とされ、前記導電層がMOSFETのゲート電極とされることによって薄膜電界効果トランジスタを構成し、該薄膜電界効果トランジスタを前記積層して形成された半導体層により2個積層し、該2個積層された薄膜電界効果トランジスタの一方をN型とし、他方をP型とすることによって構成された相補型薄膜電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 29/78 311 G
, H01L 27/08 321 D
