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J-GLOBAL ID：200903042286332277

半導体ウェーハの洗浄方法

Inventor： 小林 敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991333700
Publication number (International publication number)：1993166777
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェーハの洗浄効果を低下させること無く、洗浄工程を簡略化し、複合汚染の発生しない半導体ウェーハの洗浄方法を提供することにある。【構成】 上記目的は、フッ化水素、塩酸、過酸化水素水および純水よりなる洗浄液を用いることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法により達成される。

Claim (excerpt)：

フッ化水素、塩酸、過酸化水素水および純水よりなる洗浄液を用いることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。