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J-GLOBAL ID：200903042298219166

シリコンゲルマニウム混晶の成膜方法

Inventor： 橋詰 哲志
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997007119
Publication number (International publication number)：1998203895
Application date： Jan. 20, 1997
Publication date： Aug. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 所望の組成比を得るためにGeH4 とSiH4 の各分圧を変化させてSiGe混晶を成膜すると成膜速度が変化するため、この成膜速度に依存するホウ素濃度の制御性が悪化し、半導体装置の特性を劣化させていた。【解決手段】 予めSi含有水素化ガス(例えばSiH4 )とGe含有水素化ガス(例えばGeH4 )との分圧比と、SiGe混晶のGe組成比との関係を求めておき、その関係に基づいて所望のGe組成比となるように、かつSiGe混晶の成膜速度が所望の速度となるように、Si含有水素化ガスの分圧とGe含有水素化ガスの分圧とを調整して、Si含有水素化ガスとGe含有水素化ガスとを原料ガスに用いた化学的気相成長によりSiGe混晶を成膜する方法である。

Claim (excerpt)：

シリコン含有水素化ガスとゲルマニウム含有水素化ガスとを原料ガスに用いた化学的気相成長によるシリコンゲルマニウム混晶の成膜方法において、予めシリコン含有水素化ガスとゲルマニウム含有水素化ガスとの分圧比と、シリコンゲルマニウム混晶のゲルマニウムの組成比との関係を求めておき、前記関係に基づいて所望のゲルマニウム組成比となるように、かつシリコンゲルマニウム混晶の成膜速度が所望の速度となるように、シリコン含有水素化ガスの分圧とゲルマニウム含有水素化ガスの分圧とを調整して、化学的気相成長によりシリコンゲルマニウム混晶を成膜することを特徴とするシリコンゲルマニウム混晶の成膜方法。

IPC (3)：

C30B 29/02 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/02 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/205