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J-GLOBAL ID：200903042301514794

有機両極性半導体を使用する不揮発性強誘電体薄膜デバイス及びそのようなデバイスを処理するための方法

Inventor： ヘルウィン、ハー.ヘリンク ,  アルベルト、ウェー.マースマン ,  フレデリクス、イェー.トーブスラヘル ,  ダゴベルト、エム.デ、レーブ
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (7)： 伊東 忠彦 ,  吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006544618
Publication number (International publication number)：2007523469
Application date： Dec. 01, 2004
Publication date： Aug. 16, 2007
Summary：

有機強誘電体高分子と有機両極性半導体との組み合わせを備える不揮発性強誘電体メモリデバイスが提案されている。本発明に係るデバイスは、高分子に適合し、また、高分子の利点、即ち、溶液処理、低コスト、低温層堆積及びフレキシブル基板との適合性を十分に活用している。

Claim (excerpt)：

有機両極性半導体層と有機強誘電体層とを備え、前記有機両極性半導体層と前記有機強誘電体層とが相互に少なくとも部分的に接触していることを特徴とする不揮発性メモリデバイス。

IPC (7)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (7)：

H01L27/10 444A ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/28 100A ,  H01L21/312 A ,  H01L21/316 B

F-Term (54)：

5F045AB40 ,  5F045CA15 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL10 ,  5F058AA10 ,  5F058AB05 ,  5F058AB06 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG09 ,  5F058AH01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR05 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA28 ,  5F083GA29 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA07 ,  5F083HA10 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083KA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許出願公開第2003/0127676号公報