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J-GLOBAL ID：200903042315206677
成膜方法および成膜装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014991
Publication number (International publication number)：1993206036
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基板に損傷を与えることなく、面内均一性、ALE条件、結晶の質、ヘテロ界面の急俊性等が良好な薄膜を形成することのできる成膜方法および成膜装置を提供する。【構成】 所定の真空度に設定した真空チャンバ1内に基板3を配設して加熱するとともに、基板3に向けて配置されたノズル6およびこのノズル6に近接して設けられた高速開閉バルブ8を有するガス射出機構によって、基板3に向けて所定の原料ガスを断続的あるいは連続的に噴出させ、基板3面に結晶を成長させて成膜を行う。
Claim (excerpt)：
所定の真空度に設定した真空チャンバ内に基板を配設して加熱するとともに、前記基板に向けて配置されたノズルおよびこのノズルに近接して設けられた開閉弁を有するガス射出機構によって、前記基板に向けて所定の原料ガスを断続的あるいは連続的に噴出させ、前記基板面に結晶を成長させて成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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