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J-GLOBAL ID：200903042326282529
高周波素子の実装基板
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
沼形 義彰 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993292914
Publication number (International publication number)：1995147521
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：
【要約】【目的】 多層基板の層間寄生容量による高周波素子の性能劣化を低減しつつ多層薄型化し、主に低コストで基板の小形軽量化を図った基板構造を提供すること。【構成】 薄型多層基板1の高周波素子2の実装部分の基板4bの誘電体の誘電率を他の部分4aより低い誘電率の誘電体で形成する基板構造。【効果】 多層基板をさらに多層薄型化した場合においても層間寄生容量による高周波素子の性能劣化を低減し、主に低コストで基板の小形軽量化した基板を構成できる。
Claim (excerpt)：
高周波素子を面実装した基板において、該基板は、前記高周波素子の面実装部分を他の部分より低い誘電率の誘電体で形成したことを特徴とする高周波素子の実装基板。
IPC (3)：
H03F 3/60
, H05K 1/02
, H05K 3/46
Cited by examiner (8)
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