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J-GLOBAL ID：200903042326843644

イメージセンサおよびその製造方法

Inventor： 善木 智義
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001112486
Publication number (International publication number)：2002314060
Application date： Apr. 11, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 センサ感度を低下させることなく簡単にシェーディング補正でき安価なイメージセンサを提供する。【解決手段】 本発明のイメージセンサは、絶縁基板上に、少なくとも下部電極と光電変換素子部と上部透明電極と配線電極とから成る光電変換素子とを複数配列して成るイメージセンサであって、該光電変換素子列の少なくとも一つの前記光電変換素子の上部透明電極上の一部に不透明材料からなる遮光膜を有することで、前記光電変換素子の受光面積が素子列中心から周囲に向かって徐々に大きくなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、少なくとも下部電極とアモルファスシリコンを含む光電変換半導体と上部透明電極とから成る0.1mm2以上の面積を持つ光電変換素子が複数配列してある光電変換素子列と、配線電極とを持ち、かつ、1つの焦点を持つレンズに対して複数の光電変換素子が対応する縮小型のイメージセンサであって、該光電変換素子列の少なくとも一つの前記光電変換素子の上部透明電極上の一部に不透明材料からなる遮光膜を有することで、前記光電変換素子の受光面積が素子列中心から周囲に向かって徐々に大きくすることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  G06T 1/00 420 ,  H04N 1/028

FI (3)：

G06T 1/00 420 G ,  H04N 1/028 Z ,  H01L 27/14 C

F-Term (33)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA19 ,  4M118CA26 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118FB06 ,  4M118FB08 ,  4M118FB19 ,  4M118FB24 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GD03 ,  4M118GD07 ,  4M118HA22 ,  4M118HA27 ,  4M118HA30 ,  5B047AA01 ,  5B047BB02 ,  5B047BC01 ,  5B047BC05 ,  5C051AA01 ,  5C051BA03 ,  5C051DA03 ,  5C051DB01 ,  5C051DB06 ,  5C051DB22 ,  5C051DC02 ,  5C051DC07 ,  5C051FA01