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J-GLOBAL ID：200903042328283476

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 瀧 哲也 ,  上村 俊也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001196799
Publication number (International publication number)：2003017412
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、製造過程における基板の反りを防止して結晶性のよい素子層を形成する。【解決手段】 III族窒化物系化合物半導体と異なる材料からなる補助基板の両面に下地層を同時に形成し、続いて片方の下地層上にIII族窒化物系化合物半導体からなる素子層を形成する。

Claim (excerpt)：

III族窒化物系化合物半導体と異なる材料からなる補助基板の両面に下地層を同時に形成する工程、前記下地層のいずれか片方の上にIII族窒化物系化合物半導体からなる層を形成する工程、を含むIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53