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J-GLOBAL ID：200903042334806731

レジスト組成物およびパターン形成方法

Inventor： 並木 崇久 ,  及川 朗 ,  渡部 慶二 ,  福田 麻奈美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990404387
Publication number (International publication number)：1993173332
Application date： Dec. 20, 1990
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】電解放射線感応性レジスト組成物に関し、化学増幅型レジストにおける有機溶剤に対する溶解度並びに基材樹脂と酸発生剤の相溶性等の問題を解決することを目的とする。【構成】基材樹脂の構造中に酸発生剤に相当する部分とアルカリ可溶性部分を含有するように構成する。

Claim (excerpt)：

ハロゲン基、炭素数1〜12までのハロゲン化アルキル基またはポリハロゲン化アルキル基の中から選択される置換基を少なくとも1種類以上構造中に有し、同時に、カルボキシル基または水酸基のいずれか一方、もしくは双方を有する重合体、もしくは共重合体を含んでなるレジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027