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J-GLOBAL ID：200903042340039556

凹凸表面の形成方法および凹凸表面基板

Inventor： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 山田 義人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993279149
Publication number (International publication number)：1995130665
Application date： Nov. 09, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【構成】 たとえば金属などの基板12上に、所定条件下で、アモルファスSi層14と結晶Si層16とが混在されたSi膜18を形成する。アモルファスSi層14の上面からは結晶Si層16の一部が島状に突出する。加熱すると、結晶Si層16の結晶速度がアモルファスSi層14のそれより大きくなるので、結晶Si層16が大きく成長し、大きな凹凸表面を有するSi層18が基板12上に堆積される。【効果】 基板上に大きな凹凸表面を形成できる。

Claim (excerpt)：

(a) アモルファスシリコンと結晶シリコンとを含むシリコン層を形成し、そして(b) 前記シリコン層の前記結晶シリコンを選択的に結晶成長させて前記シリコン層に凹凸表面を形成する、凹凸表面の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 M