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J-GLOBAL ID：200903042343540396

電力用ショットキバリアダイオード

Inventor： 奥村 三郎 ,  土江 康夫 ,  中村 泰美
Applicant, Patent owner： 株式会社三社電機製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032808
Publication number (International publication number)：1997205219
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ショットキバリア金属と、酸化膜を防止し、設計どうりの耐圧を得る。【解決手段】 N型半導体基板2の一方の表面の一部にP型半導体層4のガードリングが形成され、上記ガードリングの外側周端部に酸化膜6を有し、上記一方の表面のショットキバリアダイオードにおいて、酸化膜上にアルミニウム層8が形成され、上記アルミニウム層上を含めて、ショットキバリア金属層が形成されている。

Claim (excerpt)：

N型半導体基板の一方の表面の一部にP型半導体層のガ-ドリングが形成され、上記ガ-ドリングの外側の表面の周端部に酸化膜を有し、上記一方の表面にショットキバリア金属層を有する電力用ショットキバリアダイオ-ドにおいて、上記酸化膜上にアルミニウム層が形成され、上記アルミニウム層上を含めて上記ショットキバリア金属層が形成されたことを特徴とする電力用ショットキバリアダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭50-153584
  
• 特開昭51-146179
  
• 特開昭62-295452
  
• 特開平2-105465