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J-GLOBAL ID：200903042359177208

単結晶引上げ用カーボンヒータ

Inventor： 森 隆員 ,  小林 芳隆 ,  松山 俊一郎 ,  植原 敦志 ,  安孫子 広幸 ,  島貫 克之 ,  萩原 博隆
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (2)： 波多野 久 ,  関口 俊三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003095236
Publication number (International publication number)：2004299968
Application date： Mar. 31, 2003
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

【課題】ルツボ内の均一な加熱を可能とし、上下方向の温度分布の制御が容易で、長寿命の単結晶引上げ用カーボンヒータを提供する。【解決手段】本単結晶引上げ用カーボンヒータは、円筒状をなし、上端から下端へ向かう上側スリットと下端から上端へ向かう下側スリットとが交互に設けられた単結晶引上げ用カーボンヒータにおいて、少なくとも外側上端近傍に設けられ、一端が一側に隣接するスリットに達し、他端が他側に隣接するスリットに達する凹部が全周にわたり形成された。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

円筒状をなし、上端から下端へ向かう上側スリットと下端から上端へ向かう下側スリットとが交互に設けられた単結晶引上げ用カーボンヒータにおいて、少なくとも外側上端近傍に設けられ、一端が一側に隣接するスリットに達し、他端が他側に隣接するスリットに達する凹部が全周にわたり形成されたことを特徴とする単結晶引上げ用カーボンヒータ。

IPC (2)：

C30B15/14 ,  C30B29/06

FI (2)：

C30B15/14 ,  C30B29/06 502E

F-Term (7)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077CF10 ,  4G077EG18 ,  4G077PE03 ,  4G077PE12 ,  4G077PE14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-305087
  
• 特公昭41-007921
  
• 特開昭53-087983
  
• 特開昭62-223090
  
• 単結晶育成装置用カーボンヒータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-277002   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 単結晶シリコン製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-182231   Applicant：株式会社日立製作所