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J-GLOBAL ID：200903042359750200
半導体光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994040704
Publication number (International publication number)：1995249835
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】半導体多層膜で構成されたブラッグ反射器の反射率を高め、それを用いて低電流動作が可能な半導体発光素子および高性能な半導体光素子を実現する。【構成】半導体多層膜(ブラッグ反射器)4、11を用いた半導体光素子において、半導体多層膜の一方の高屈折率層をIII-V族化合物で、他方の低屈折率層をII-VI族化合物で構成し、両者の化合物層を交互に周期的に繰り返した積層膜でブラッグ反射器を構成する。【効果】半導体多層膜を構成する高屈折率層と低屈折率層との屈折率差が増大し、半導体多層膜の反射率を高くすることができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にII-VI族化合物からなる第1半導体層と、前記第1半導体層よりも屈折率の大きなIII-V族化合物の第2半導体層とを周期的に繰り返し積層した第1半導体領域で構成したブラッグ反射器を具備して成る半導体光素子。
IPC (2)：
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