化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996266776
Publication number (International publication number)：1997211866
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【解決手段】 (A)有機溶剤、(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示され、重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)溶解制御剤を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(R<SP>1</SP>はH又はCH<SB>3</SB>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は酸不安定基である。0.02≦p/(p+q+r)≦0.5、0.01≦q/(p+q+r)≦0.3、0<(p+q)/(p+q+r)≦0.8、aは1〜3である。)

Claim (excerpt)：

(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物【化1】(但し、式中R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基であり、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は互いに異なる酸不安定基である。p、q、rは正数で、0.02≦p/(p+q+r)≦0.5、0.01≦q/(p+q+r)≦0.3、0<(p+q)/(p+q+r)≦0.8を満足する数である。aは1〜3の正数である。)(C)酸発生剤を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-115307 Applicant：信越化学工業株式会社
レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-115308 Applicant：信越化学工業株式会社
微細パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-246324 Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社

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