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J-GLOBAL ID：200903042379487211

SOI-IGBT

Inventor： イェネ ティハニー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999536623
Publication number (International publication number)：2001515662
Application date： Dec. 07, 1998
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：

【要約】本発明は、SOI-IGBTであって、一方の導電型のチャネルゾーン(13)、少なくとも1つの他方の導電型のセルゾーン(10)及び少なくとも1つの、IGBTを限定する一方の導電型の中間ゾーン(15)を有しており、その際、チャネルゾーン(13)、セルゾーン(10)及び中間ゾーン(15)は、一方の導電型の半導体基板(1)上に設けられた絶縁層(5)内に設けられている。チャネルゾーン(13)、セルゾーン(10)及び中間ゾーン(15)は、絶縁層(5)内に設けられた切欠部(6,7,8)を介して半導体基板(1)と接続されている。

Claim (excerpt)：

SOI-IGBTであって、一方の導電型のチャネルゾーン(13)、少なくとも1つの他方の導電型のセルゾーン(10)及び少なくとも1つの、前記IGBTを限定する前記一方の導電型の中間ゾーン(15)を有しており、その際、前記チャネルゾーン(13)、前記セルゾーン(10)及び前記中間ゾーン(15)は、前記一方の導電型の半導体基板(1)上に設けられた絶縁層(5)内に設けられているSOI-IGBTにおいて、チャネルゾーン(13)、セルゾーン(10)及び中間ゾーン(15)は、絶縁層(5)内に設けられた切欠部(6,7,8)を介して半導体基板(1)と接続されていることを特徴とするSOI-IGBT。

IPC (4)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 652

FI (3)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 27/08 321 G