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J-GLOBAL ID：200903042380255642

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 奥村 智洋 ,  中山 一郎 ,  池田 哲
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035518
Publication number (International publication number)：1995245195
Application date： Mar. 07, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 比較的高真空において高密度プラズマを発生することができ、かつプラズマ密度とイオンエネルギーの独立制御性に優れた高周波誘導方式のプラズマ処理方法及び装置を提供する。【構成】 真空容器1内に基板3を載置する電極2を配設するとともに、この電極2に電極用高周波電源4を接続し、真空容器1の基板3に対向する壁面1aに沿って、隣合う磁界が互いに逆位相の複数の高周波磁界を発生するコイル5を配設してコイル用高周波電源6を接続し、発生した高周波磁界を隣合う逆位相の高周波磁界に引き込むようにして高周波磁界を壁面1a近くに閉じ込め、基板3の近くで高周波磁界の影響を小さくしている。

Claim (excerpt)：

真空容器内の電極上に基板を載置し、真空容器の基板に対向する壁面に沿わせて配設したコイルにて隣合う磁界が互いに逆位相の複数の高周波磁界を発生させて基板に対向する壁面近傍に閉じ込められたプラズマを形成し、電極に印加する高周波電圧にて基板に到達するイオンエネルギーを制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C