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J-GLOBAL ID：200903042380891085
半導体集積回路及びその層間接続方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高矢 諭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991353597
Publication number (International publication number)：1993041455
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 コンタクトの加工精度を向上させると共に、該コンタクトに係る電気抵抗を低減し、電気的な特性の向上を図る。【構成】 コンタクト30は、第1図形10と第2図形20とを交互に連結した形状を有している。第1図形10は、幅方向の外形の寸法W1と長手方向の外形の寸法L1とがほぼ等しくなっている。又、第2図形の幅方向の外形の寸法W2は、第1図形の幅方向の外形の寸法W1よりも短くなっている。このような形状を有するコンタクトによれば、オーバーエッチングを低減し、現像時あるいはベーキング時のレジストのダレの不均一を低減することが可能である。更に、コンタクトを配置可能なコンタクト領域の面積を有効に利用して、コンタクトの面積を増加し、電気抵抗を低減することができる。
Claim (excerpt)：
多結晶シリコンや金属による配線層等の複数の層の積層構造の、異なる層の間を電気的に接続する、幅方向の寸法より長手方向の寸法の方が比較して長いコンタクトを備えた半導体集積回路において、前記コンタクトが、幅方向の外形の寸法W1と長手方向の外形の寸法L1とがほぼ等しい第1図形と、幅方向の外形の寸法W2が、前記第1図形の幅方向の外形の寸法W1より短い第2図形と、を連結した形状を含むことを特徴とする半導体集積回路。
Patent cited by the Patent：
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