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J-GLOBAL ID：200903042388914718

化合物半導体基板の前処理方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993024540
Publication number (International publication number)：1994244409
Application date： Feb. 12, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体基板上で良好な特性を示すMIS型デバイスを構成する。【構成】 n型GaAs層2とn+ 型GaAs層3の積層系にゲート・リセス4を形成したウェハに対し、窒素系化合物を含むガスを用いたプラズマ処理を行い、ウェハ表面に蒸気圧の低いGaNを生成させることによりパッシベーション層5を形成する。このパッシベーション層5によりウェハの表面酸化が防止されるため、後工程で積層されるSiN絶縁膜6との間の界面準位密度が低減され、良好なデバイス特性を得ることができる。上記ガスとしては、NF3 /N2 混合ガスやCl2 /N2 混合ガスを用いる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板の表面を、該化合物半導体基板の所定の構成原子と窒素原子との結合により形成される窒化物膜で被覆することを特徴とする化合物半導体基板の前処理方法。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  C23C 8/36 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318