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J-GLOBAL ID：200903042397118401

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 森塚 宏平 ,  遠藤 尚彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000818
Publication number (International publication number)：1993182980
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】エピタキシャル成長によるベース層を持つ、微細化,高速化が可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することを目的とする。【構成】p型Si基板101にn+ 型Siサブコレクタ層102,n型Siコレクタ層103がエピタキシャル成長され、さらにこの上にp+ 型SiGeベース層120と、熱平衡状態で完全空乏化するp- 型Si層121が連続的にエピタキシャル成長され、p- 型Si層121上に選択的に多結晶シリコン・エミッタ128が形成される。

Claim (excerpt)：

第1導電型のコレクタ層と、このコレクタ層上にエピタキシャル成長された,第2導電型で高濃度のベース層と、このベース層上に連続的にエピタキシャル成長された,ベース層よりバンドギャップが大きくかつ熱平衡状態で完全空乏化する低濃度層と、この低濃度層上に形成された第1導電型のエミッタ層と、を有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/165