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J-GLOBAL ID：200903042403531545

エピタキシャルウェーハ及び発光ダイオード

Inventor： 細川 泰男 ,  小田原 道哉 ,  奥山 峰夫 ,  斎藤 豊
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992111456
Publication number (International publication number)：1993308153
Application date： Apr. 30, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 Znをドープしたp型のGaP基板8を使用し、表面エピタキシャル層をn型とすることで、良質の(AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0≦X≦1,0≦Y≦1)系DH構造を有するエピタキシャルウェーハと当該ウェーハを使用した高輝度のLEDを提供すること。【構成】 p型のGaP基板8上に格子定数の異なる(AlX Ga1-X )Y In1-Y Pエピタキシャル層6,5のDH構造を有し、その表面層側がn型にドープされたことで電流の拡散し易い構造とする。【効果】 p型GaP基板を使用し、(AlX Ga1-X )Y In1-Y P DH構造の表面層側をn型とすることによって、電極直下での電流の拡がりを容易にし、高輝度のLEDを得ることができる。

Claim (excerpt)：

p型GaP半導体基板上に基板と異なる格子定数を有する半導体のダブルヘテロ構造(以下DH構造と称す)を有するエピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャル層表面側にn型ドープ層を具備してなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  C30B 25/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-183079
  
• 特開平1-243482
  
• 特開平4-257276