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J-GLOBAL ID：200903042422486569
プラズマ処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994103664
Publication number (International publication number)：1995312346
Application date： May. 18, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 トレイ上の位置にかかわらず消費される反応性ガスの流量および複数種類からなるガスの構成比を略一定とし、成膜する場合には膜厚や膜質の均一化を図ることができるとともに、エッチングする場合にはエッチング速度分布の均一化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 電極6の表面から反応性ガスとして、例えばシランとアンモニアの混合ガスをトレイ5上に供給する場合、電極6の中央部6aから供給する反応性ガスの供給量と、周辺コーナー部6bから供給する反応性ガスの供給量と、周辺中間部6cから供給する反応性ガスの供給量とをそれぞれ異ならせることにより、トレイ5の表面全面において供給される反応性ガスの流量を略一定にすることができるとともに、反応性ガスのシランとアンモニアの構成比を略一定とする。
Claim (excerpt)：
平行平板型の一対の電極の間に基板を装着するトレイを前記電極と平行に配置し、一対のうち一方の電極の表面の複数箇所から前記トレイ上に反応性ガスを供給するプラズマ処理装置であって、前記一方の電極の中央部から供給する反応性ガスの流速および流量と、前記一方の電極の周辺部から供給する反応性ガスの流速および流量とを異なるように制御する機能を有したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/3065
, H01L 21/365
