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J-GLOBAL ID：200903042429227283
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178548
Publication number (International publication number)：1993029628
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】高速化のために表面層にベース領域の設けられる層を高比抵抗化,薄膜化する場合にJFET効果によりチャネルを通じて注入されるキャリアの通路を広くし、オン電圧が低くなるIGBTを提供する。【構成】ベース領域2の設けられる表面層を高不純物濃度化することにより、ベース領域2の底面につながる曲率の大きい部分から広がる空乏層によってキャリア通路の最も狭められる部分のJFET効果を抑制することができ、オン電圧を低下させてオン時の電力損失を低減することが可能になる。
Claim (excerpt)：
第一導電型の第一層の一側の表面層内に選択的に第二導電型のベース領域が形成され、そのベース領域の表面層内に選択的に第一層の露出部をはさんで第一導電型のエミッタ領域が形成され、第一層の他側に第二導電型のコレクタ層が形成され、ベース領域の第一層の露出部とエミッタ領域にはさまれた部分をチャネル領域として、その表面上にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極、エミッタ領域およびベース領域に共通に接触するエミッタ電極ならびにコレクタ層に接触するコレクタ電極を備えたものにおいて、第一層の一側の表面層がベース領域の深さより厚く、内部の層部分より高不純物濃度の層であることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 321 S
, H01L 29/78 321 J
