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J-GLOBAL ID：200903042436916523

ダイヤモンド薄膜およびその製造方法

Inventor： 相川 由実 ,  馬場 和宏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991337866
Publication number (International publication number)：1993085892
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 粒径が小さく、透過率が高く、内部応力が低い引っ張り応力である膜質の良好なダイヤモンド薄膜とその製造方法を提供する。【構成】 成膜前に基板をあらかじめ粒径が0.1μm以下のダイヤモンド粉末で研磨し、その基板上に熱フィラメントCVD法によりダイヤモンド膜を合成する際に、反応圧力を50〜500Torrとし、フィラメント-基板間に電流密度が8mA/cm2以上となるように直流バイアス電圧を印加する。この方法で、ラマン分光分析によるダイヤモンド(D)と1500cm-1付近における非ダイヤモンド成分(G)のピーク強度比(G/D)がG/D≦1.0のダイヤモンド薄膜が得られる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド薄膜の純度の指標としてのラマン分光分析によるダイヤモンド(D)と1500cm-1付近における非ダイヤモンド成分(G)のピーク強度比(G/D)が、G/D≦1.0なる関係を満たすことを特徴とするダイヤモンド薄膜。