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J-GLOBAL ID：200903042439602961

TiNバリア膜の製造方法およびその装置

Inventor： 伊藤 渉 ,  倉門 雅彦 ,  田中 幸基
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995093622
Publication number (International publication number)：1996288273
Application date： Apr. 19, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 窒素欠損のないTiNバリア膜を、基板に設けられたアスペクト比の大きなコンタクトホール低面に効率良く形成する方法およびその装置を提供する。【構成】 真空蒸着槽の中において、基板近傍に窒素ガスを導入すると共に、圧力隔壁3を設け差動排気することにより、蒸発源に近い部分の圧力を基板近傍の圧力の1/2〜1/100にすると共に、基板近傍に60MHz以上の高周波プラズマを生成して窒素ガスを選択的にイオン化し、さらに基板バイアス電圧を印加することにより、蒸着粒子の直進性が生かされ、コンタクトホールの底部にボトムカバレッジに優れた窒素欠損のないTiNバリア膜を効率良く形成する。

Claim (excerpt)：

真空蒸着槽の中でTiを加熱・蒸発させながら窒素ガスを導入することによりTiN薄膜を基板上に形成する反応蒸着法において、該窒素ガスを選択的にイオン化させることによって成膜することを特徴としたTiNバリア膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/22 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/318

FI (6)：

H01L 21/31 C ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/22 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/318 B