Pat
J-GLOBAL ID:200903042445920789

整流回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996275496
Publication number (International publication number):1998108464
Application date: Sep. 25, 1996
Publication date: Apr. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 整流時の電圧降下の少ない整流回路を得る。【解決手段】 MOSFET3のソース・ドレイン間に等価的に内蔵される寄生ダイオード4を整流素子として、利用する整流回路。
Claim (excerpt):
MOSFETのソース・ドレイン間の等価的に内蔵される寄生ダイオードを整流素子として利用し、交流電圧を直流電圧に整流することを特徴とする整流回路。
IPC (3):
H02M 7/06 ,  H02M 7/21 ,  H02M 7/219
FI (3):
H02M 7/06 E ,  H02M 7/21 A ,  H02M 7/219
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-138030
  • 特開昭50-107427
  • 電源装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-259559   Applicant:日本電気株式会社
Show all

Return to Previous Page