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J-GLOBAL ID:200903042445920789
整流回路
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996275496
Publication number (International publication number):1998108464
Application date: Sep. 25, 1996
Publication date: Apr. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 整流時の電圧降下の少ない整流回路を得る。【解決手段】 MOSFET3のソース・ドレイン間に等価的に内蔵される寄生ダイオード4を整流素子として、利用する整流回路。
Claim (excerpt):
MOSFETのソース・ドレイン間の等価的に内蔵される寄生ダイオードを整流素子として利用し、交流電圧を直流電圧に整流することを特徴とする整流回路。
IPC (3):
H02M 7/06
, H02M 7/21
, H02M 7/219
FI (3):
H02M 7/06 E
, H02M 7/21 A
, H02M 7/219
Patent cited by the Patent: