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J-GLOBAL ID：200903042452996642

固体撮像装置およびその製造方法

Inventor： 立川 景士 ,  岡田 裕幸
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993099139
Publication number (International publication number)：1994310702
Application date： Apr. 26, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 広帯域な分光特性を有し、かつ残像を引き起こすことなく、低電圧読み出し駆動が可能となる。【構成】 Si基板1上にp型ウェル2を形成し、p型ウェル2にCCD転送チャンネル6を形成し、Si基板1上にゲート絶縁膜7ならびにゲート電極8を形成し、フォトレジストをマスクとして高加速イオン注入法にてp型ウェル2内の深部に選択的に低濃度n型領域9を形成し、低濃度n型領域9上にフォトレジストをマスクとして高加速イオン注入法にて高濃度n型領域10を形成し、高濃度n型領域10上にp型領域11を形成したものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成した一導電型の第1拡散層と、この第1拡散層内の深部に選択的に形成した他導電型の低濃度の第2拡散層と、この低濃度の第2拡散層上に形成した他導電型の高濃度の第3拡散層と、この高濃度の第3拡散層上に形成した一導電型の第4拡散層と、前記第1拡散層に形成したCCD転送チャンネルと、前記半導体基板上に形成したゲート絶縁膜と、前記CCD転送チャンネルの上方で前記ゲート絶縁膜上に形成したゲート電極とを備えた固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/10

FI (4)：

H01L 27/14 B ,  H01L 21/265 S ,  H01L 21/265 V ,  H01L 31/10 A