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J-GLOBAL ID：200903042453112632

電界効果トランジスタ

Inventor： 岡本 康宏 ,  安藤 裕二 ,  宮本 広信 ,  中山 達峰 ,  井上 隆 ,  葛原 正明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2005002712
Publication number (International publication number)：WO2005081304
Application date： Feb. 21, 2005
Publication date： Sep. 01, 2005
Summary：

電界効果トランジスタは、GaNチャネル層12とAlGaN電子供給層13を含む半導体層構造と、電子供給層13上に互いに離間して形成されたソース電極1およびドレイン電極3と、ソース電極1とドレイン電極3との間に形成されたゲート電極2と、電子供給層13上に形成されたSiON膜23とを有している。ゲート電極2は、ドレイン電極3側にひさし状に張り出し、かつSiON膜23上に形成されたフィールドプレート部5を有している。SiON膜23のフィールドプレート部5と電子供給層13との間に位置する部分(フィールドプレート層23a)の厚さが、ゲート電極2からドレイン電極3の方向に向かって次第に厚くなるように変化している。

Claim (excerpt)：

ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、該半導体層構造上に互いに離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、前記半導体層構造上に形成された絶縁膜と、を有する電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲート電極は、前記ドレイン電極側にひさし状に張り出し、かつ前記絶縁膜上に形成されたフィールドプレート部を有しており、 前記絶縁膜の前記フィールドプレート部と前記半導体層構造との間に位置する部分の厚さが、前記ゲート電極から前記ドレイン電極の方向に向かって次第に厚くなるように変化していることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q

F-Term (15)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR11 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08