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J-GLOBAL ID：200903042454407369

非揮発性メモリ薄膜及びその製造方法

Inventor： 呉 英 齊 ,  金 承 賢 ,  丁 炯 鎭
Applicant, Patent owner： 財団法人韓国科学技術研究院
Agent (1)： 笹島 富二雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239920
Publication number (International publication number)：1998116965
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ペロブスカイト層の形成を容易にし、誘電特性及び信頼性を向上した非揮発性メモリ薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(1)と、該半導体基板(1)上に蒸着形成されるアルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)と、該アルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)上に蒸着形成される白金電極(3)と、該白金電極(3)上に蒸着形成されるチタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)と、該チタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)上に蒸着形成されるPZT薄膜(5)と、を含んで非揮発性メモリ薄膜を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)と、該半導体基板(1)上に蒸着形成されるアルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)と、該アルミナ(Al2 O3 )緩衝層(2)上に蒸着形成される白金電極(3)と、該白金電極(3)上に蒸着形成されるチタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)と、該チタン酸鉛(PbTiO3 )促進層(4)上に蒸着形成されるPZT薄膜(5)と、を含んで構成されたことを特徴とする非揮発性メモリ薄膜。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-322206   Applicant：垂井康夫, 日産自動車株式会社