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J-GLOBAL ID：200903042478708173

紫外光消去型メモリーデバイス用バッファコート

Inventor： 山舗 有香 ,  浅野 昌也
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993178851
Publication number (International publication number)：1995034033
Application date： Jul. 20, 1993
Publication date： Feb. 03, 1995
Summary：

【要約】【構成】シラン単位組成を特定の割合で含有するシリカ系被膜から成る紫外光消去型メモリーデバイス用バッファコート。【効果】紫外光〜可視光領域の透明性に優れ、かつ、耐クラック性にも優れるので、膜厚が厚く形成できるため、消去特性やデバイスの信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

一般式(1) R2 SiOで表される単位組成1モルに対して、一般式(2) RSiO1.5で表される単位組成を1〜20モル含有するシリカ系被膜から成ることを特徴とする紫外光消去型メモリーデバイス用バッファコート。(ただし、Rは水素、アルキル基、アリール基、アルケニル基、およびそれらの置換体を表わし、それぞれ、同一でも、異なっていても良い。)

IPC (3)：

C09D183/04 PMS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31