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J-GLOBAL ID：200903042479051607

半導体装置の検査装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 井上 二朗 ,  佐藤 孝雄 ,  渡辺 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001327167
Publication number (International publication number)：2003133379
Application date： Oct. 25, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】 最適観察倍率(視野)を自動調整し、高倍観察時に明暗コントラストを低下もしくは消滅させることなく、高コントラストで電位コントラスト欠陥を観察することが可能な技術を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの異物或いは欠陥を電子顕微鏡によって検査する半導体装置の検査装置において、前記電子顕微鏡が高プローブ電流用の構成と低プローブ電流用の構成とを備え、各々の観察モードを切り替えて低プローブ電流観察画像と高プローブ電流観察画像との観察を行なう。半導体ウェーハの異物或いは欠陥を電子顕微鏡によって検査する半導体装置の製造方法において、前記異物或いは欠陥のサイズをもとに最適観察視野を計算する手段と、その算出された最適視野に観察倍率を変化させる手段とを備え、前記異物或いは欠陥のサイズに応じた可変視野にて欠陥を自動観察する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの異物或いは欠陥を電子顕微鏡によって検査する半導体装置の検査装置において、前記電子顕微鏡が高プローブ電流用の構成と低プローブ電流用の構成とを備え、各々の観察モードを切り替えて低プローブ電流観察画像と高プローブ電流観察画像との観察を行なうことを特徴とする半導体装置の検査装置。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28

FI (3)：

H01L 21/66 J ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28 B

F-Term (28)：

2G001AA03 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA16 ,  4M106CA42 ,  4M106CA43 ,  4M106DB05 ,  4M106DB30 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ27 ,  5C033FF10 ,  5C033JJ07 ,  5C033MM07 ,  5C033UU01 ,  5C033UU04 ,  5C033UU05