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J-GLOBAL ID：200903042483293631

半導体光増幅デバイス、半導体光増幅駆動装置、および半導体光受信装置

Inventor：
松田 京子

About 松田 京子

, 
奥村 敏之

About 奥村 敏之


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004257062
Publication number (International publication number)：2006073874
Application date： Sep. 03, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
【課題】 消費電力が小さく、伝送損失を受けた光信号を受信でき、光信号を増幅しビットエラーレートを低減できる半導体光増幅デバイス、半導体光増幅駆動装置、および半導体光受信装置を提供する。【解決手段】 半導体光増幅デバイス1は、活性層2と、n型InP基板9と、n型InPクラッド層12と、p型InPクラッド層13と、p電極21〜23と、n電極27〜29とを備える。活性層2は、たとえばInGaAsPから構成され、可飽和吸収領域4と、光増幅領域5,6とを含む。光増幅領域5,6には、p電極22,23を介して、共通の変調電流がそれぞれ注入される。可飽和吸収領域4には、p電極21を介して、光増幅領域5,6とは独立に変調電流が注入される。活性層2は、外部からの光信号に付加雑音光が印加された注入光Pinを受けて、注入光Pinが増幅された出力光Poutを出射する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
光信号を増幅する半導体光増幅デバイスであって、 光増幅領域と可飽和吸収領域とを含む活性層と、 第1の極性の電極と、 前記第1の極性の電極に対して設けられる第2の電極とを備え、 前記第1の極性の電極および前記第2の極性の電極の少なくとも一方は、前記光増幅領域と前記可飽和吸収領域とに対して独立に電流を注入できるように分割され、 前記活性層は、前記光信号を含む注入光を受けて、該注入光が増幅された出力光を出射する、半導体光増幅デバイス。
IPC (1)：
H01S 5/50
FI (1)：
H01S5/50 610
F-Term (4)：
5F173AD12 ,  5F173AH14 ,  5F173AJ13 ,  5F173AS01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • フォトダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-083704   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 特表平5-507156号公報
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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