位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033255
Publication number (International publication number)：1994250376
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【構成】基板上の全面にアルミナを形成し、その上にSiO2 、金属クロム層、酸化クロム層を積層し、その上にポジ型レジスト塗布後主領域部のみレジストを除去し、金属クロムをエッチングした。次に金属クロム層、酸化クロム層を成膜後その上にポジ型電子線レジストを塗布ベーク後、電子線描画現像処理後半透過遮光層及び遮光層をエッチングし半透過遮光パターンおよび遮光パターンを形成後位相シフト層のドライエッチング後レジストを除去して位相シフトマスクを得た。【効果】主領域部がハーフトーン型位相シフトマスクとなっており、その転写能力は非常に高い解像度及び焦点余裕度を有し、露光波長を下回る微細パターンの解像能力を持つ。

Claim (excerpt)：

透明基板に、遮光部と光透過部と半透過遮光部と位相シフト部とを備えた位相シフトマスクにおいて、主領域部が光透過部と半透過遮光部と位相シフト部で形成され、主領域部を除く周辺部分は少なくとも一部が遮光部で形成されることを特徴とした位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平4-136854
特開平1-238117
特開平4-162039

Show all

Return to Previous Page