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J-GLOBAL ID：200903042502990454

半導体装置

Inventor： 竹中 計廣
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245859
Publication number (International publication number)：1993090606
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】強誘電体キャパシタを用いた半導体装置において、Al配線形成後も高温処理を可能とする。【構成】強誘電体キャパシタの電極として、PtとTi、TiNなどの積層電極を用いることにより、配線電極であるAlとPtの反応を阻止する。【効果】Ti、TiNなどの金属により、AlとPtとの反応が防げるため、Al電極形成後でも、500C程度の熱処理が可能となり、信頼性の高い半導体装置が形成できる。

Claim (excerpt)：

強誘電体からなるキャパシタと、MOSトランジスタが同一半導体基板上に集積化された半導体装置において、前記強誘電体からなるキャパシタの上部電極が、前記強誘電体膜と接するPtまたはPdを主成分とする第1導電膜と、前記第1導電膜上に積層されたTi、TiN、TiW、MoSiの何れかを主成分とした第2導電膜からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22