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J-GLOBAL ID：200903042512542050

ダイシング方法

Inventor： 川田 保夫 ,  坂内 敏
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993028473
Publication number (International publication number)：1994224298
Application date： Jan. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 切断を中止してダイシングテーブルから半導体ウエハを一旦取り外した後、切断を再開しても、不良部分の発生が少ないように改良されたフルカット方式の半導体ウエハのダイシング方法を提供する。【構成】 半導体ウエハ上に設定された第1の方向の設定カッティングライン上で一部切り残し部分が生じるようにして半導体ウエハを切断し、次いで、半導体ウエハ上に切り残し部分を連続して形成するように、順次第1の方向の設定カッティングラインの全てについて半導体ウエハを切断する工程と、第1の方向の設定カッティングラインに沿った切断の操作と同様にして、第1の方向の設定カッティングラインに交差する第2の方向の設定カッティングラインに沿って順次半導体ウエハを切断する工程と、第1及び第2の方向の設定カッティングラインに沿ってそれぞれの半導体ウエハの切り残し部分を切断する工程を含むことを特徴とするダイシング方法。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ上に設定された第1の方向の設定カッティングライン上で一部切り残しが生じるようにして半導体ウエハを切断し、次いで、第1の方向の設定カッティングラインの全てについて、切り残しを有する半導体ウエハ部分を前記最初の切り残しを有する部分に続いて連続して形成するように、順次半導体ウエハを切断する工程と、第1の方向の設定カッティングラインに沿った切断の操作と同様にして、第1の方向の設定カッティングラインに交差する第2の方向の設定カッティングラインに沿って順次半導体ウエハを切断する工程と、及び第1及び第2の方向の設定カッティングラインに沿ってそれぞれの切り残しを切断する工程とを含むことを特徴とするダイシング方法。

IPC (2)：

H01L 21/78 ,  B28D 5/00